是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.69 |
其他特性: | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级(Eas): | 750 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 180 A |
最大漏极电流 (ID): | 180 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0064 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 480 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 450 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTA180N10T7 | IXYS |
类似代替 |
PreliminaryTechnical Information TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTH180N10T | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IXTA180N10T | IXYS |
功能相似 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP182N055T | IXYS |
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TrenchMV⢠Power MOSFET | |
IXTP182N055T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTP18N60PM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXTP18P10T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP18P10T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTP1N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET | |
IXTP1N100 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTP1N100P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTP1N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTP1N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |