Datasheet > IXTP182N055T

IXTP182N055T

更新时间： 2023-12-06 20:13:16

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网栅开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	302K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP182N055T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

IXTA182N055T

IXTP182N055T

V_DSS= 55

I_D25= 182

R_DS(on)≤ 5.0 m Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

(TAB)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25° C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

182

490

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AS

T_C=25°C

T_C= 25° C

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤175° C, R_G= 5 Ω

V/ns

(TAB)

T_C=25°C

360

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10 Nm/lb.in.

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 ° C Operating Temperature

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

ꢀ

Easy to mount

Space savings

High power density

ꢀ

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Applications

Automotive

- Motor Drives

- High Side Switch

- 12VBattery

ꢀ

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

2.0

4.0

V_GS

20 V, V_DS= 0 V

200

- ABS Systems

ꢀ

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

High Current Switching

ꢀ

T_J= 150° C

ꢀ

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 25 A, Notes 1, 2

3.8

5.0 m Ω

Applications

DS99626 (11/06)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTP182N055T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP18N60PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTP18P10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP18P10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTP1N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP1N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTP1N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP1N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP1N120P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP1N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP1N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET

与IXTP182N055T相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

45
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

33
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

72
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP182N055T

IXTP182N055T 数据手册

与IXTP182N055T相关器件

与IXTP182N055T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP182N055T

IXTP182N055T 数据手册

与IXTP182N055T相关器件

与IXTP182N055T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？