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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 312K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP160N075T | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTP160N075T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTP160N085T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 85V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTP160N10T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP16N50P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP16N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTP16N50PM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTP16N50PM | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTP170N075T2 | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET | |
IXTP170N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |