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IXTP16N50PM

更新时间： 2024-11-21 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	210K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTP16N50PM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.45	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.5 A	最大漏极电流 (ID)：	7.5 A
最大漏源导通电阻：	0.42 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXTP16N50PM 数据手册

Advance Technical Information

PolarHV^TMPower

MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 7.5A

R_DS(on)≤ 420mΩ

IXTP16N50PM

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

OVERMOLDED

(IXTP...M) OUTLINE

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1 MΩ

500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

7.5

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J=150°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

^ꢀPlastic Overmolded Tab for Electrical

Isolation

^ꢀInternational Standard Package

^ꢀAvalanche Rated

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10 s

Plastic Body for 10 s

300

260

°C

^ꢀFast Intrinsic Diode

^ꢀLow Package Inductance

M_d

Mounting Torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

2.5

Advantages

^ꢀHigh Power Density

^ꢀEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^ꢀSpace Savings

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

Applications

5.5

^ꢀSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

±100 nA

^ꢀDC-DC Converters

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5 μA

50 μA

^ꢀLaser Drivers

^ꢀAC and DC Motor Drives

^ꢀRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 8A, Note 1

420 mΩ

DS100149(04/09)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP170N075T2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTP170N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP170N13X4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET
IXTP180N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTP180N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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IXTP182N055T	IXYS	获取价格	TrenchMVâ¢ Power MOSFET
IXTP182N055T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTP18N60PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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