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力特 - LITTELFUSE | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 246K | ![]() |
描述 | ||
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.41 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 750 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 16 A |
最大漏极电流 (ID): | 16 A | 最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 35 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP16N50PM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IXTP16N50PM | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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IXTP170N075T2 | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET |
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IXTP170N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |
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IXTP170N13X4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP180N055T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET |
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IXTP180N085T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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IXTP180N10T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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IXTP180N10T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP182N055T | IXYS |
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TrenchMV⢠Power MOSFET |
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