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IXTP160N04T2 PDF预览

IXTP160N04T2

更新时间： 2024-01-12 03:38:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 205K
描述
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IXTP160N04T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：600 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：160 A最大漏极电流 (ID)：160 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTP160N04T2 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
IXTA160N04T2  
IXTP160N04T2  
VDSS = 40V  
ID25 = 160A  
RDS(on) ≤ 5mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
S
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
40  
40  
V
V
VDGR  
(TAB)  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
TO-220 (IXTP)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
160  
75  
A
A
A
400  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
80  
600  
250  
A
mJ  
W
G
D
(TAB)  
S
EAS  
PD  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
TAB = Drain  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
Features  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z International standard packages  
z 175°C Operating Temperature  
z Avalanche rated  
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
z High current handling capability  
z
Low RDS(on)  
Advantages  
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
40  
V
V
2.0  
4.0  
Applications  
±200 nA  
μA  
• Synchronous Buck Converters  
• High Current Switching Power  
Supplies  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
5
TJ = 150°C  
150 μA  
5 mΩ  
• Battery Powered Electric Motors  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 50A, Notes 1, 2  
• Resonant-mode power supplies  
• Electronics Ballast Application  
• Class D Audio Amplifiers  
DS100052(10/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
123456

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IXTP160N04T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA160N04T2 IXYS

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTP160N075T IXYS

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 		Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTP160N075T LITTELFUSE

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