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IXTP160N075T PDF预览

IXTP160N075T

更新时间： 2024-11-06 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTP160N075T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTA160N075T  
IXTP160N075T  
VDSS = 75  
ID25 = 160  
RDS(on) ≤ 6.0 mΩ  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (IXTA)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
75  
75  
V
V
G
S
D (TAB)  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
160  
75  
430  
A
A
A
TO-220 (IXTP)  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
IAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
750  
A
mJ  
D (TAB)  
G
D
S
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 175C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TC = 25°C  
360  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 °C Operating Temperature  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting torque (TO-3P, TO-220)  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
3
2.5  
g
g
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
ꢀ
Space savings  
ꢀ
High power density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
Automotive  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
ꢀ
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 250 μA  
VGS = ± 20 V, VDS = 0 V  
75  
V
V
2.0  
4.0  
- ABS Systems  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
± 200  
nA  
ꢀ
Primary Switch for 24V and 48V  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
μA  
μA  
Systems  
High Current Switching  
Applications  
ꢀ
TJ = 150°C  
250  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
5.1  
6.0 mΩ  
DS99520 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
123456

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与IXTP160N075T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTP160N085T IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 85V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP160N10T LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTP16N50P IXYS

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 		PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP16N50P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP16N50PM IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP16N50PM LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP170N075T2 IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTP170N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP170N13X4 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTP180N055T IXYS

获取价格

 		Trench Gate Power MOSFET

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