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IXTP160N075T

更新时间： 2024-03-04 09:49:44

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	254K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTP160N075T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

IXTA160N075T

IXTP160N075T

V_DSS= 75

I_D25= 160

R_DS(on)≤ 6.0 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

D (TAB)

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

160

430

TO-220 (IXTP)

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

750

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175C, R_G= 5 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 °C Operating Temperature

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-3P, TO-220)

1.13 / 10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

2.5

Advantages

ꢀ

Easy to mount

ꢀ

Space savings

ꢀ

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

Automotive

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

ꢀ

- Motor Drives

- 42V Power Bus

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

2.0

4.0

- ABS Systems

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

± 200

ꢀ

Primary Switch for 24V and 48V

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

Systems

High Current Switching

Applications

ꢀ

T_J= 150°C

250

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 25 A, Notes 1, 2

5.1

6.0 mΩ

DS99520 (11/06)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP160N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 85V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP160N10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP16N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP16N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP16N50PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP16N50PM	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP170N075T2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTP170N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP170N13X4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET

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