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力特 - LITTELFUSE | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 286K | ![]() |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 1.77 |
JESD-609代码: | e3 | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP16N50P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTP16N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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IXTP16N50PM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IXTP16N50PM | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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IXTP170N075T2 | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET |
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IXTP170N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |
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IXTP170N13X4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP180N055T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET |
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IXTP180N085T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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IXTP180N10T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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