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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH15P20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH160N075T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH160N075T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH160N10T | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
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| IXTH160N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH160N15T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 150V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IXTH160N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH16N10D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH16N20D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET |
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| IXTH16N20D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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