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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.53 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 695 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH16P20 | IXYS |
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Standard Power MOSFET |
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| IXTH16P20 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2 |
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| IXTH16P60P | IXYS |
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Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH16P60P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTH17N55 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH17N60 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH17N65 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH17P25 | IXYS |
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Transistor |
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| IXTH180N10T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IXTH180N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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