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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTH180N10T | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IXTH180N10T | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH182N055T | IXYS | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH182N055T | LITTELFUSE | 沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH18N65 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH1910 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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