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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.9 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTH19N50 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH19P15 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH19P20 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH1N100 | IXYS | High Voltage MOSFET |
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| IXTH1N170DHV | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH1N170DHV | IXYS | Power Field-Effect Transistor, |
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