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IXTH200N085T

更新时间： 2024-11-05 19:49:19

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	201K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXTH200N085T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	85 V
最大漏极电流 (ID)：	200 A	最大漏源导通电阻：	0.005 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	540 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH200N085T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

IXTH200N085T

IXTQ200N085T

V_DSS= 85

I_D25= 200

R_DS(on)≤ 5.0 m Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25° C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

200

540

(TAB)

I_AR

E_AS

T_C=25°C

T_C= 25° C

1.0

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤175° C, R_G= 5 Ω

V/ns

T_C=25°C

480

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

1.13 / 10 Nm/lb.in.

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

Weight

TO-3P

TO-247

5.5

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 ° C Operating Temperature

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

ꢀ

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

ꢀ

2.0

4.0

V_GS

20 V, V_DS= 0 V

200

Applications

ꢀ

Automotive

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

- Motor Drives

- 42V Power Bus

T_J= 150° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 25 A, Notes 1, 2

4.0

5.0 m Ω

- ABS Systems

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

ꢀ

Systems

High Current Switching

ꢀ

Applications

DS99703 (11/06)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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