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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.9 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTH20N65X | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH20N65X | IXYS | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH20P25 | IXYS | Transistor |
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| IXTH20P50P | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH20P50P | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH21N45 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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