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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH20P50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH20P50P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH21N45 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTH21N50 | IXYS |
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MegaMOSFET |
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| IXTH21N50 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
|
| IXTH21N50Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH21N55 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH21N60 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR |
|
| IXTH220N055T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 55V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTH220N075T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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