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IXTH24N50L

更新时间： 2024-11-21 21:21:31

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	106K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IXTH24N50L 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	PLASTIC, TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A	最大漏极电流 (ID)：	24 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH24N50L 数据手册

Linear^TMPower MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS= 500V

I_D25= 24A

R_DS(on)≤ 300mΩ

IXTH24N50L

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

G = Gate

S = Source

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

Tab = Drain

I_A

T_C= 25°C

E_AS

1.5

P_D

T_C= 25°C

400

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

• Designed for Linear Operation

• International Standard Package

• Avalanche Rated

• Molding Epoxy Meets UL94 V-0

Flammability Classification

-55 ... +150

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.5

Typ.

Max.

• Programmable Loads

• Current Regulators

• DC-DC Converters

• Battery Chargers

• DC Choppers

• Temperature and Lighting Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

6.0

±100 nA

I_DSS

50 μA

500 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

300 mΩ

DS99125B(01/11)

12 3 4 5

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IXTH24N50L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH24N50Q	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH24N50	IXYS	类似代替	MegaMOSFET

与IXTH24N50L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH24N50MA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| TO-247(5)
IXTH24N50MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IXTH24N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH24N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH24N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTH24P20	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTH24P20	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH250N075T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH260N055T2	IXYS	获取价格	TrenchT2TM Power MOSFET
IXTH260N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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