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IXTH26N60P

更新时间： 2024-11-21 20:48:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	272K
描述
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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IXTH26N60P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	2.29	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	26 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	65 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH26N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTH26N60P

IXTQ26N60P

IXTT26N60P

IXTV26N60P

IXTV26N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 26

R_DS(on)≤ 270 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

TO-3P (IXTQ)

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D (TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXTT)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

1.2

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

PLUS220 (IXTV)

P_D

T_C= 25°C

460

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

PLUS220SMD (IXTV_S)

M_d

Mounting torque (TO-3P&TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

11..65/2.5..15

N/lb

Weight

TO-3P

TO-247

TO-268

PLUS220 & PLUS220SMD

5.5

6.0

5.0

4.0

D (TAB)

D = Drain

TAB = Drain

G = Gate

S = Source

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Features

^zFast Recovery diode

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= ±30 V, V_DS= 0 V

600

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

3.0

5.0

rated

^zInternational standard packages

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

±100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 125°C

250

Advantages

Easy to mount

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

270 mΩ

Space savings

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

DS99376E(12/06)

12 3 4 5 6

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