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IXTH30N25

更新时间： 2024-11-25 20:52:31

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	71K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD,

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IXTH30N25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH30N25 数据手册

Advance Technical Information

V_DSS= 250 V

I_D(cont)= 30 A

R_DS(on)= 75 mΩ

Standard

Power MOSFET

IXTH 30N25

N-Channel Enhancement Mode

Symbol TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J

= 25°C to 150°C

250

= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C

= 25°C

120

= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

E_AR

E_AS

T_C

= 25°C

1.0

dv/dt

I_S

T_J

≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C

= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

International standard package

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

High commutating dv/dt rating

Fast switching times

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

Symbol TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

Motor controls

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

250

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

250 µA

T_J= 125°C

Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 15 A

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

75 mΩ

98872 (12/01)

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