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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.88 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 1159142 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | TO-247 (IXTH) Outline |
| Samacsys Released Date： | 2020-05-21 14:40:40 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH30N60P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH30N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTH31N15MA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247(5) |
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| IXTH31N15MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH31N20MA | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH31N20MB | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH32N65X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH32N65X | LITTELFUSE |
获取价格 |
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXTH32P20T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH32P20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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