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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH35N25MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH35N30 | IXYS |
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MegaMOSTMFET |
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| IXTH360N055T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH360N055T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 360A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTH36N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET |
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| IXTH36N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTH36P10 | IXYS |
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Standard Power MOSFET |
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| IXTH36P10 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2 |
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| IXTH36P15P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH38N30L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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