IXTH36N50P

更新时间： 2024-11-05 12:09:27

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHV Power MOSFET

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IXTH36N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.31
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	108 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH36N50P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTH 36N50P

IXTQ 36N50P

IXTT 36N50P

IXTV 36N50P

IXTV 36N50PS

V_DSS= 500 V

I_D25= 36 A

R_DS(on)≤ 170 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

TO-247 (IXTH)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

108

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

(TAB)

TO-268 (IXTT)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 3 Ω

V/ns

T_C=25° C

540

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

PLUS220 (IXTV)

M_d

Mounting torque(TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

20..120/4.5..15

N/lb

D (TAB)

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220

TO-3P

PLUS220 SMD(IXTV..S)

5.5

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

D (TAB)

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

3.0

5.0

100

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

170 mΩ

DS99228E(01/06)

12 3 4 5

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IXTH36N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTT36N50P	IXYS	完全替代	N-Channel Enhancement Mode
IXFT36N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH36N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXTH36N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH36P10	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTH36P10	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH36P15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH38N30L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTH39N08MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH39N08MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH39N10MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH39N10MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH3N100P	IXYS	获取价格	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTH3N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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