IXTH36P10

更新时间： 2024-11-05 03:13:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
Standard Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH36P10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH36P10 数据手册

Advance Technical Information

IXTH 36P10

Standard Power MOSFET

V_DSS= -100 V

I_D25= -36 A

R_DS(on)= 75 mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

-100

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

-36

-144

-36

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D=Drain,

TAB = Drain

E_AR

P_D

T_C= 25°C

180

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

• International standard package

JEDEC TO-247 AD

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

T_L

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

• Low package inductance (<5 nH)

- easy to drive and to protect

Applications

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• High side switching

• Push-pull amplifiers

• DC choppers

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= -250 µA

-100

-3.0

• Automatic test equipment

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= -250 µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

-5.0

±100

-25

µA

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

-1 mA

R_DS(on)

V_GS= -10 V, I_D= 0.5 I_D25

75 mΩ

• High power density

98908 (2/02)

中文翻译

下载PDF

与IXTH36P10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH36P15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH38N30L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTH39N08MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH39N08MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH39N10MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH39N10MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH3N100P	IXYS	获取价格	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTH3N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTH3N120	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTH3N120	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉

与IXTH36P10相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH36P10

IXTH36P10 技术参数

IXTH36P10 数据手册

与IXTH36P10相关器件

与IXTH36P10相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH36P10

IXTH36P10 技术参数

IXTH36P10 数据手册

与IXTH36P10相关器件

与IXTH36P10相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？