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IXTH38N30L2

更新时间： 2024-11-19 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
6页	284K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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IXTH38N30L2 数据手册

Preliminary Technical Information

LinearL2^TM

Power MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS= 300V

I_D25= 38A

R_DS(on) 100m

IXTT38N30L2HV

IXTH38N30L2

_OD

N-Channel Enhancement Mode

R_Gi

TO-268HV (IXTT..HV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

300

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

TO-247 (IXTH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

120

D (Tab)

D = Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

2.5

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

P_D

T_C= 25C

400

T_J

-55 ... +150

150



C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^Designed for Linear Operation

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-268HV

TO-247

^Guaranteed FBSOA at 75C

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

300

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

^Linear Amplifiers

          100 nA

I_DSS

10 A

^Programmable Loads

^Current Regulators

T_J= 125C

100 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

100 m

DS100882B (5/18)

12 3 4 5 6

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