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力特 - LITTELFUSE | 开关 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 284K | |
描述 | ||
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH39N08MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH39N08MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH39N10MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH39N10MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH3N100P | IXYS |
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Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTH3N100P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTH3N120 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFETs | |
IXTH3N120 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTH3N150 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1500V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXTH3N150 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |