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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 440 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 440 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTT440N055T2 | IXYS |
类似代替  |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH44N25L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH44P15T | IXYS |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH44P15T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTH450P2 | IXYS |
获取价格 |
Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH450P2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTH460P2 | IXYS |
获取价格 |
PolarP2⢠Power MOSFET |
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| IXTH460P2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTH48N15 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH48N20 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH48N20 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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