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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTH440N055T2
IXTH440N055T2 PDF预览

IXTH440N055T2

更新时间： 2024-01-22 06:39:32
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 193K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXTH440N055T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：440 A
最大漏极电流 (ID)：440 A最大漏源导通电阻：0.0018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1000 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTH440N055T2 数据手册

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Advance Technical Information  
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 55V  
ID25 = 440A  
RDS(on) ≤ 1.8mΩ  
IXTH440N055T2  
IXTT440N055T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
TO-247 (IXTH)  
G
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D
D (Tab)  
S
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
55  
55  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
TO-268 (IXTT)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
440  
160  
A
A
A
G
S
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
1200  
D (Tab)  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
200  
1.5  
A
J
EAS  
PD  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
1000  
W
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
Features  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z International Standard Packages  
z 175°C Operating Temperature  
z High Current Handling Capability  
z Avalanche Rated  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
z Fast Intrinsic Diode  
z
Low RDS(on)  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
55  
V
V
z
z
2.0  
4.0  
±200 nA  
Applications  
IDSS  
10 μA  
z
TJ = 150°C  
VGS = 10V, ID = 100A, Notes 1 & 2  
750 μA  
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary- Side Switch  
High Current Switching Applications  
z
RDS(on)  
1.8 mΩ  
z
DS100220(12/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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IXTH440N055T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTT440N055T2 IXYS

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