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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 500 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 500 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0016 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1250 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTT500N04T2 | IXYS |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH50N15 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH50N20 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOS FET |
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| IXTH50N20 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH50N25T | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH50N25T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH50N30 | IXYS |
获取价格 |
Advance Technical Information High Current Power MOSFET |
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| IXTH50N30L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH50P085 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET |
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| IXTH50P10 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET |
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| IXTH50P10 | LITTELFUSE |
获取价格 |
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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