是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-247 | 包装说明: | PLASTIC PACKAGE-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.75 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 800 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 500 A |
最大漏极电流 (ID): | 500 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0016 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1000 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1250 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTT500N04T2 | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH50N15 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH50N20 | IXYS |
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MegaMOS FET | |
IXTH50N20 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTH50N25T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTH50N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTH50N30 | IXYS |
获取价格 |
Advance Technical Information High Current Power MOSFET | |
IXTH50N30L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH50P085 | IXYS |
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Standard Power MOSFET | |
IXTH50P10 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET | |
IXTH50P10 | LITTELFUSE |
获取价格 |
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-2 |