是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-247AD |
包装说明: | TO-247AD, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.81 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 180 W | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
APT7F100B | MICROSEMI |
功能相似 |
N-Channel FREDFET | |
FQU2N60C | FAIRCHILD |
功能相似 |
600V N-Channel MOSFET | |
STW11NK100Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Pr |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH5N95 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247 | |
IXTH5N95A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH60N10 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode | |
IXTH60N20L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTH62N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH64N10L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH64N10L2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH64N65X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH64N65X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH67N08 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |