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IXTH6N120

更新时间： 2024-11-18 11:08:11
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IXYS 高压
页数 文件大小 规格书
4页 590K
描述
High Voltage Power MOSFET

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IXTH6N120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：TO-247AD, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.77其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1200 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：2.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IXTH6N120 数据手册

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IXTH 6N120  
IXTT 6N120  
VDSS  
ID25  
= 1200 V  
6 A  
High Voltage  
Power MOSFET  
=
RDS(on) = 2.6 Ω  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
PreliminaryDataSheet  
TO-247AD(IXTH)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
T
= 25°C to 150°C  
1200  
1200  
V
V
TJJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
(TAB)  
ID25  
TC = 25°C  
6
A
IDM  
IAR  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
24  
6
A
A
TO-268 (IXTT) Case Style  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
mJ  
mJ  
G
500  
(TAB)  
S
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
5
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
PD  
TC = 25°C  
300  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
z
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Mounting torque  
300  
°C  
International standard packages  
Low RDS (on) HDMOSTM process  
Rugged polysilicon gate cell structure  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z
z
z
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247AD  
TO-268  
6
4
g
g
z
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Advantages  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
1200  
2.5  
Max.  
z
Easy to mount  
Space savings  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
VDS = VDSS  
V
V
z
z
5.0  
High power density  
100  
nA  
IDSS  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
25  
500  
µA  
µA  
V
GS = 0 V  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
RDS(on)  
2.6  
Ω
DS99024B(01/04)  
© 2004 IXYS All rights reserved  
1234

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IXTH6N120 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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