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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.9 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH75N10 | IXYS |
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MegaMOSFET |
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| IXTH75N10L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH75N15 | IXYS |
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High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH76N25T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH76N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH76P10T | IXYS |
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TrenchP Power MOSFETs |
|
| IXTH76P10T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
|
| IXTH7P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
|
| IXTH7P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| IXTH80N075L2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
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