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力特 - LITTELFUSE | 开关 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 202K | |
描述 | ||
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH80N20L | IXYS |
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MOSFET N-CH 200V 80A TO-247 | |
IXTH80N20L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 | |
IXTH80N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTH86N25T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTH86N25T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH88N15 | IXYS |
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High Current Power MOSFET | |
IXTH88N30P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTH88N30P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTH8P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR | |
IXTH8P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |