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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH8P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH8P50 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2 |
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| IXTH90N15T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH90N20X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXTH90P10P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH94N20X4 | LITTELFUSE |
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新型200V X4超级结MOSFET采用最新的超级结技术设计，适用于高效电源应用。 其采用 |
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| IXTH96N20P | IXYS |
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N-Channel Engancement Mode |
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| IXTH96N20P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTH96N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH96P085T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
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