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IXTK110N20L2

更新时间： 2024-11-06 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
6页	186K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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IXTK110N20L2 数据手册

Advance Technical Information

LinearL2^TMPower

MOSFET w/Extended

FBSOA

V_DSS

I_D25

= 200V

= 110A

IXTK110N20L2

IXTX110N20L2

R_DS(on)< 24mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Guaranteed FBSOA

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

200

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

110

275

PLUS247(IXTX)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

P_D

T_C= 25°C

960

T_J

-55...+150

150

°C

(TAB)

T_JM

T_stg

-55...+150

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_L

1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

M_d

F_C

Mounting Torque (IXTK)

Mounting Force (IXTX)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Features

20..120 / 4.5..27

^zDesigned for Linear Operation

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

^zSolid State Circuit Breakers

^zSoft Start Controls

2.0

4.5

^zLinear Amplifiers

±200 nA

^zProgrammable Loads

^zCurrent Regulators

I_DSS

50 μA

2.5 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

24 mΩ

DS100195(9/09)

12 3 4 5 6

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