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IXTK102N65X2

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
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5页 201K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTK102N65X2 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：8.51
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IXTK102N65X2 数据手册

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Preliminary Technical Information  
X2-Class  
Power MOSFET  
VDSS = 650V  
ID25 = 102A  
RDS(on) 30m  
IXTK102N65X2  
IXTX102N65X2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-264P (IXTK)  
Fast Intrinsic Diode  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
VDSS  
VDGR  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
650  
650  
V
V
D
Tab  
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
PLUS247 (IXTX)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
102  
204  
A
A
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
25  
3
A
J
G
D
Tab  
S
PD  
TC = 25C  
1040  
50  
W
dv/dt  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Tab = Drain  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low QG  
Avalanche Rated  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264P)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
20..120 /4.5..27  
Low Package Inductance  
Weight  
TO-264P  
PLUS247  
10  
6
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
650  
V
V
Applications  
3.0  
5.0  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
100 nA  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
IDSS  
25 A  
350 A  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
30 m  
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100655A(6/15)  
12345

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