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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (ID)： | 102 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTK102N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTK102N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTK110N20L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTK110N30 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 300V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTK120N20P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTK120N25 | IXYS |
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High Current MegaMOSFET |
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| IXTK120N25P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET |
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| IXTK120N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTK120N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTK120P20T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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