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IXTH96N20P

更新时间： 2024-11-18 11:08:11

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5页	605K
描述
N-Channel Engancement Mode

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IXTH96N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.3	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	96 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	225 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH96N20P 数据手册

IXTH 96N20P

IXTQ 96N20P

IXTT 96N20P

V_DSS

I_D25

= 200 V

= 96 A

PolarHT^TM

Power MOSFET

R_DS(on)= 24 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-247 (IXTH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

200

V_GSM

(TAB)

I_D25

T_C= 25°C

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-3P(IXTQ)

225

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

(TAB)

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

TO-268 (IXTT)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

(TO-3P, TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

D (TAB)

Weight

TO-3P

TO-247

TO-268

5.5

6.0

5.0

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

2.5

5.0

100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 150°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

24 mΩ

High power density

DS99117D(01/05)

12 3 4 5

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IXTH96N20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT96N20P	IXYS	完全替代	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTQ96N20P	IXYS	完全替代	N-Channel Engancement Mode
IXFH96N20P	IXYS	类似代替	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

与IXTH96N20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH96N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTH96P085T	IXYS	获取价格	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTH96P085T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTH9N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH9N95	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTI10N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTI12N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTI12N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTI76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTI90N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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