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IXTK110N30

更新时间： 2024-11-05 21:17:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	115K
描述
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 300V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN

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IXTK110N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	110 A
最大漏源导通电阻：	0.026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	440 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTK110N30 数据手册

Advance Technical Information

IXTK 110N30

V_DSS= 300 V

High Current

MegaMOS^TMFET

I_D25

= 110 A

R_DS(on)= 26 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

Testconditions

Maximum ratings

TO-264AA(IXTK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C MOSFET chip capability

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

110

440

I_AR

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

4.0

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

730

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

0.7/6

°C

Nm/lb.in.

•Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

•Ruggedpolysilicongatecellstructure

•Internationalstandardpackage

•Fastswitchingtimes

M_d

Weight

TO-264

Applications

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

•Motorcontrols

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

•DC choppers

•Switched-mode power supplies

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

300

Advantages

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

2.0

4.0

±200 nA

•Easy to mount with one screw

(isolatedmountingscrewhole)

•Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 µA

•High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

26 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2%

DS99013(03/03)

12 3 4

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IXTK110N30 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK120N30T	IXYS	类似代替	GigaMOS Power MOSFET
IXFX120N30T	IXYS	功能相似	GigaMOS Power MOSFET

与IXTK110N30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTK120N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK120N25	IXYS	获取价格	High Current MegaMOSFET
IXTK120N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTK120N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTK120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK120P20T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IXTK120P20T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTK128N15	IXYS	获取价格	High Current Mega MOS FET
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