IXTK120N25

更新时间： 2024-01-03 21:35:13

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High Current MegaMOSFET

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IXTK120N25 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.27	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2.5 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	700 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTK120N25 数据手册

Advance Technical Information

IXTK 120N25

V_DSS= 250 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)= 22 mΩ

High Current

MegaMOS^TMFET

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

Testconditions

Maximum ratings

TO-264AA(IXTK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

250

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C MOSFET chip capability

External leadcurrentlimit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

120

480

I_AR

G = Gate

S = Source

D = Drain

Tab = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

0.7/6

°C

Nm/lb.in.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• Internationalstandardpackage

• Fastswitchingtimes

M_d

Weight

TO-264

Applications

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

• Motorcontrols

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

• DC choppers

• Switched-mode power supplies

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

250

Advantages

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= 20 V DC, V_DS= 0

200 nA

• Easy to mount with one screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 µA

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I = 0.5 I_D25

22 mΩ

Pulse test, t ≤^D300 ms, duty cycle d ≤ 2%

98879A (02/02)

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