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IXTQ96N20P

更新时间： 2024-10-02 11:08:11
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描述
N-Channel Engancement Mode

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IXTH 96N20P  
IXTQ 96N20P  
IXTT 96N20P  
VDSS  
ID25  
= 200 V  
= 96 A  
PolarHTTM  
Power MOSFET  
RDS(on) = 24 mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
TO-247 (IXTH)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
200  
200  
V
V
G
VGSM  
20  
V
D
(TAB)  
S
ID25  
TC = 25°C  
96  
75  
A
A
A
ID(RMS)  
IDM  
External lead current limit  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TO-3P(IXTQ)  
225  
IAR  
TC = 25°C  
60  
A
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
mJ  
J
1.5  
G
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
D
S
(TAB)  
TC = 25°C  
600  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
TO-268 (IXTT)  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
G
S
Md  
Mounting torque  
(TO-3P, TO-247)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
D (TAB)  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
TO-268  
5.5  
6.0  
5.0  
g
g
g
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Features  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
z
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z
z
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
200  
V
V
2.5  
5.0  
100  
nA  
Advantages  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
µA  
µA  
TJ = 150°C  
z
Easy to mount  
Space savings  
z
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
24 mΩ  
z
High power density  
DS99117D(01/05)  
© 2005 IXYS All rights reserved  
12345

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IXTQ96N20P 替代型号

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IXFT96N20P IXYS

完全替代

 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFH96N20P IXYS

完全替代

 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTH96N20P IXYS

完全替代

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