5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTR200N10P
IXTR200N10P PDF预览

IXTR200N10P

更新时间： 2024-10-03 14:56:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 219K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTR200N10P 数据手册

 浏览型号IXTR200N10P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTR200N10P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTR200N10P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTR200N10P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTR200N10P的Datasheet PDF文件第6页 
PolarTM HiPerFET  
Power MOSFET  
Electrically Isolated Tab  
VDSS = 100 V  
ID25 = 120 A  
IXTR 200N10P  
RDS(on)  
≤
8 mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Recovery Diode  
ISOPLUS 247TM (IXTR)  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
100  
100  
V
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
V
VGS  
20  
30  
V
V
VGSM  
ISOLATED TAB  
ID25  
TC = 25° C  
120  
75  
A
A
A
ID(RMS)  
IDM  
External lead current limit  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
400  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
IAR  
TC =25° C  
60  
A
EAR  
EAS  
TC =25° C  
TC =25° C  
100  
4
mJ  
J
Features  
l
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤150° C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
TC =25° C  
300  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
l
l
l
Low drain to tab capacitance(<30pF)  
Avalanche voltage rated  
Fast recovery intrinsic diode  
VISOL  
FC  
50/60 Hz, RMS, 1 minute  
Mounting Force  
2500  
20..120/4.6..20  
5
V~  
Nm/lb  
g
Applications  
l
DC-DC converters  
Weight  
l
Battery chargers  
l
Switched-mode and resonant-mode  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
power supplies  
l
(TJ = 25° C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
DC choppers  
l
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 500µA  
VGS = 30 VDC, VDS = 0  
VDS = VDSS  
100  
V
V
AC motor control  
3.0  
5.0  
Advantages  
l
Easy assembly  
100  
nA  
l
Space savings  
IDSS  
25  
250  
1000  
µA  
µA  
µA  
l
High power density  
V
GS = 0 V  
TJ = 150° C  
TJ = 175° C  
VGS = 0 V  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 60 A  
VGS = 15 V, ID = 400A  
8.0 mΩ  
mΩ  
5.5  
© 2006 IXYS All rights reserved  
DS99365E(03/06)  
123456

中文翻译

下载PDF

与IXTR200N10P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTR20P50P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTR210P10T LITTELFUSE

获取价格

 		Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTR32P60P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IXTR32P60P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTR36P15P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTR36P15P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTR40P50P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTR40P50P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTR48P20P IXYS

获取价格

 		P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTR48P20P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(

与IXTR200N10P相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证