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IXTR140P10T PDF预览

IXTR140P10T

更新时间： 2024-10-03 14:56:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关驱动高压
页数 文件大小 规格书
7页 218K
描述
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱动电路，避免使用N通道MOSFET通常涉及的额外“高压侧”驱动电路。 这让设计人员可以减少元件数量，从而简

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IXTR140P10T 数据手册

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TrenchPTM  
Power MOSFET  
VDSS = -100V  
ID25 = - 110A  
IXTR140P10T  
RDS(on)  
≤
11mΩ  
P-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
ISOPLUS247  
E153432  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
-100  
-100  
V
V
G
VDGR  
Isolated Tab  
D
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±15  
±25  
V
V
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
- 110  
- 400  
A
A
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
-140  
2.5  
A
J
EAS  
Features  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C  
TC = 25°C  
10  
V/ns  
W
z
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
2500V~ Electrical Isolation  
Avalanche Rated  
Extended FBSOA  
Fast Intrinsic Diode  
270  
z
TJ  
TJM  
Tstg  
- 55 ... +150  
150  
- 55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z
z
z
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
z
Low RDS(ON) and QG  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500  
V~  
FC  
20..120/4.5..27  
5
N/lb.  
g
Advantages  
Weight  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
z
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
-100  
- 2.0  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = - 250μA  
VDS = VGS, ID = - 250μA  
VGS = ±15V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
z
High-Side Switching  
Push Pull Amplifiers  
DC Choppers  
Automatic Test Equipment  
Current Regulators  
Battery Charger Applications  
z
- 4.0  
z
z
±100 nA  
z
IDSS  
- 10 μA  
-150 μA  
z
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = -10V, ID = - 70A, Note 1  
11 mΩ  
DS100376B(01/13)  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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