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IXTR16P60P

更新时间： 2024-11-18 21:19:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	123K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.79ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXTR16P60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.54
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.79 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	190 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTR16P60P 数据手册

Preliminary Technical Information

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 600V

I_D25= - 10A

IXTR16P60P

R_DS(on)

≤

790mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

ISOPLUS247 (IXTR)

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

- 10

- 48

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

- 16

2.5

E_AS

Features

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

190

^zSilicon chip on Direct-Copper Bond

(DCB) substrate

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- UL recognized package

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

^zAvalanche rated

^zThe rugged PolarP^TMprocess

^zLow Q_G

^zLow Drain-to-Tab capacitance

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA

t = 1s

M_d

Mounting force

20..120 / 4.5..27

N/lb.

Weight

Applications

High side switching

Push-pull amplifiers

DC Choppers

Automatic test equipment

Load-Switch Application

Fuel Injection Systems

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

- 600

- 2.5

- 4.5

±100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

- 25 μA

- 200 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= - 8A, Note 1

790 mΩ

DS99989(5/08)

12 3 4 5

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