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IXTS12N65

更新时间: 2024-11-05 19:57:15
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
8页 699K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IXTS12N65 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):12 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):175 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NOBase Number Matches:1

IXTS12N65 数据手册

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