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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-268AA | 包装说明： | TO-268, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.19 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTT10N100D2 | IXYS |
类似代替  |
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| IXTH10N100D2 | IXYS |
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功能相似 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT10N100D2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT10N100D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT10P50 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTT10P60 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT10P60 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IXTT110N10L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT110N10L2 | IXYS |
获取价格 |
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| IXTT110N10P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTT110N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTT11P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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