5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-268AA | 包装说明： | TO-268, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.19 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTT10N100D2 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
获取价格 |
|
| IXTT10N100D2 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
获取价格 |
|
| IXTT10P50 | IXYS | Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
获取价格 |
|
| IXTT10P60 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
获取价格 |
|
| IXTT10P60 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
获取价格 |
|
| IXTT110N10L2 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
获取价格 |
|
SI2301 N沟道MOSFET：资料手册参数分析
ADC0809逐次逼近寄存器型模数转换器：资料手册参数分析
AD9361捷变收发器：全面参数解析与关键特性概览
IRF3205功率MOSFET：资料手册参数分析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
