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IXTR20P50P

更新时间： 2024-10-03 14:56:43

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力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	154K
描述
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(RDSon)显著降低30%，并将栅极电荷(Qg)降低40%，从而降低了传导损失，并能提供出色的开关性能。

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PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 500V

I_D25= - 13A

R_DS(on) 490m

IXTR20P50P

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

ISOPLUS247

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 500

V_DGR

Isolated Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

S = Source

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

-13

- 60

I_A

T_C= 25C

- 20

2.5

E_AS

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

^Silicon chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

190

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

- UL Recognized Package

- Isolated Mounting Surface

- 2500V~ Electrical Isolation

^Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^Fast Intrinsic Diode

^The Rugged PolarP^TMProcess

^Low Q_G

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500

^Low Drain-to-Tab Capacitance

^Low Package Inductance

F_C

20..120/4.5..27

N/lb

Weight

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 500

- 2.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= - 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS,V_GS= 0V

Applications

- 4.5



High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

100 nA



I_DSS

- 25 A



T_J= 125C

- 200 A



Current Regulators

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= -10A, Note 1

490 m

DS99983C(11/16)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTR32P60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTR36P15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTR36P15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTR40P50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTR40P50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTR48P20P	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTR48P20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTR62N15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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