5秒后页面跳转
IXTS11N60 PDF预览

IXTS11N60

更新时间: 2024-11-18 20:19:35
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
12页 1058K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IXTS11N60 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):11 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NOBase Number Matches:1

IXTS11N60 数据手册

 浏览型号IXTS11N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTS11N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTS11N60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTS11N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTS11N60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTS11N60的Datasheet PDF文件第7页 

与IXTS11N60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTS11P40 IXYS

获取价格

Transistor
IXTS12N65 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTS13N50 LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTS13N60 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTS15N40 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-210AC
IXTS17N50 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTS20P20 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-210AC
IXTS30N10 LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTS30N20 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-210AC
IXTS30P10 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-210AC