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IXTR40P50P

更新时间： 2024-11-30 20:04:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	120K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXTR40P50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.58	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	3500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.26 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	312 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTR40P50P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 500V

I_D25= - 22A

IXTR40P50P

R_DS(on)



260m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

ISOPLUS247

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 22

G = Gate

S = Source

= Drain

-120

I_A

T_C= 25C

- 40

3.5

E_AS

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

312

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

- UL Recognized Package

- Isolated Mounting Surface

- 2500V~ Electrical Isolation

^Dynamic dv/dt Rating

^Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^Fast Intrinsic Diode

V_ISOL

M_d

50/60 H_Z,RMS, t= 1min

Mounting Force

2500

20..120/4.5..27

N/lb

^The Rugged PolarP^TMProcess

^Low Q_G

^Low Drain-to-Tab Capacitance

^Low Package Inductance

Weight

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 500

- 2.0

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= -1mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 4.5

Applications

100 nA



High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment



I_DSS

- 50 A



T_J= 125C

- 250 A



R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= - 20A, Note 1

260 m



Current Regulators

DS99937D4/15)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTR48P20P	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTR48P20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTR62N15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IXTR6N40A	LITTELFUSE	获取价格	Transistor
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