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IXTR102N65X2

更新时间： 2024-11-22 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅二极管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 657K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。 其雪崩能力也增强了器件的强度。 此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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X2-Class  
Power MOSFET  
VDSS = 650V  
ID25 = 54A  
RDS(on) 33m  
IXTR102N65X2  
D
S
(Electrically Isolated Tab)  
G
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
ISOPLUS247  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
650  
650  
V
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
Isolated Tab  
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
54  
204  
A
A
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
25  
3
A
J
PD  
TC = 25C  
330  
50  
W
dv/dt  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
V/ns  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Features  
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
2500V~ Electrical Isolation  
Low QG  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500 V  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
FC  
20..120/4.5..27  
N/lb  
g
Weight  
5
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
650  
V
V
Applications  
3.0  
5.0  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
100 nA  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
IDSS  
25 A  
500 A  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 51A, Note 1  
33 m  
© 2020 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100681B(1/20)  
1234567

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