是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-268AA |
包装说明: | TO-268, 3 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.74 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 96 A | 最大漏源导通电阻: | 0.024 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-268AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 225 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFH96N20P | IXYS |
完全替代 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXTQ96N20P | IXYS |
完全替代 |
N-Channel Engancement Mode | |
IXTH96N20P | IXYS |
完全替代 |
N-Channel Engancement Mode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFT9N80Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFTN100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFV10N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFV10N100PS | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFV110N10P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV110N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFV110N10PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV110N25T | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power HiperFET | |
IXFV110N25TS | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power HiperFET | |
IXFV12N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFETs |