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IXFT96N20P

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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5页	225K
描述
PolarHT HiPerFET Power MOSFET

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IXFT96N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	96 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	225 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT96N20P 数据手册

PolarHT^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 96N20P

IXFT 96N20P

IXFV 96N20P

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

= 200 V

= 96 A

≤ 24 mΩ

≤ 200 ns

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

200

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

T_C=25° C

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXFT)

225

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

PLUS220 (IXFV)

T_C=25° C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Weight

TO-220

TO-247

TO-268

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Fast Intrinsic Diode

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

2.5

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

Advantages

T_J= 150°C

Easy to mount

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

24 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99222E(02/06)

12 3 4 5

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IXFV110N25T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power HiperFET
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