Datasheet > IXFV20N80PS

IXFV20N80PS

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	325K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFV20N80PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS220SMD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.52 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFV20N80PS 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXFH 20N80P

IXFT 20N80P

IXFV 20N80P

IXFV 20N80PS

V_DSS= 800 V

I_D25= 20 A

R_DS(on)≤ 520 mΩ

t_rr

≤ 250 ns

Fast Intrinsic Diode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

800

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25° C

E_AR

E_AS

T_C= 25° C

D (TAB)

1.0

PLUS220 (IXFV)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C= 25° C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

PLUS220 SMD(IXFV..S)

T_L

T_SOLD

Maximum lead temperature for soldering

Plastic case for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

Mounting force (PLUS220)

1..65 / 2.5..15

N/lb

D (TAB)

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220 types

5.5

G = Gate

= Drain

S = Source Tab = Drain

Features

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

International standard packages

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

800

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

3.0

5.0

200

V_GS

30 V_DC, V_DS= 0

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

Easy to mount

Space savings

High power density

T_J= 125° C

1000

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 10 A

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

520 m Ω

DS99511E(03/06)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFV20N80PS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV20N80P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT20N80P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH20N80P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXFV20N80PS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFV22N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV22N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFV22N60PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFV26N50P	IXYS	获取价格	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode
IXFV26N50PS	IXYS	获取价格	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode
IXFV26N60P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60PS	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV30N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV30N50PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV30N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXFV20N80PS相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV20N80PS

IXFV20N80PS 技术参数

IXFV20N80PS 数据手册

IXFV20N80PS 替代型号

与IXFV20N80PS相关器件

与IXFV20N80PS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV20N80PS

IXFV20N80PS 技术参数

IXFV20N80PS 数据手册

IXFV20N80PS 替代型号

与IXFV20N80PS相关器件

与IXFV20N80PS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？