IXFV52N30PS

更新时间： 2024-09-27 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHT Power MOSFET HiPerFET

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IXFV52N30PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, PLUS220SMD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A	最大漏极电流 (ID)：	52 A
最大漏源导通电阻：	0.066 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFV52N30PS 数据手册

PolarHT^TMPower

V_DSS= 300V

I_D25= 52A

R_DS(on)≤ 66mΩ

≤ 200ns

IXFV52N30P

IXFV52N30PS

IXFH52N30P

MOSFET HiPerFET^TM

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

PLUS220 (IXFV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

300

V_DGR

V_GSS

V_GSM

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

Continuous

300

± 20

± 30

D (TAB)

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

PLUS220SMD (IXFV_S)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

150

I_A

T_C= 25°C

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

400

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

TO-247 (IXFH)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

T_L

-55 ... +150

300

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

D (TAB)

T_SOLD

M_d

260

Mounting torque (TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

F_C

11..65/2.5..14.6

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

Weight

PLUS220 & PLUS220SMD

TO-247

Features

^zInternational standard packages

^zFast recovery diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

^zAvalanche rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

300

2.5

5.0

Advantages

± 100 nA

25 μA

Easy to mount

Space savings

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

66 mΩ

DS99197F(05/08)

12 3 4 5

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IXFH52N30P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET HiPerFET
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IXFV96N20PS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 200V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IXFX100N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
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