5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFX120N65X2
IXFX120N65X2 PDF预览

IXFX120N65X2

更新时间： 2024-11-19 14:56:59
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅二极管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 831K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。 其雪崩能力也增强了器件的强度。 此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFX120N65X2 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.37
Base Number Matches：1

IXFX120N65X2 数据手册

 浏览型号IXFX120N65X2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFX120N65X2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFX120N65X2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFX120N65X2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFX120N65X2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFX120N65X2的Datasheet PDF文件第7页 
X2-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 650V  
ID25 = 120A  
RDS(on) 24m  
IXFK120N65X2  
IXFX120N65X2  
D
S
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
TO-264  
(IXFK)  
G
G
D
Tab  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
S
VDSS  
VDGR  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
650  
650  
V
V
PLUS247  
(IXFX)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
120  
240  
A
A
G
D
Tab  
S
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
15  
3.5  
A
J
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
PD  
TC = 25C  
1250  
50  
W
Tab = Drain  
dv/dt  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
V/ns  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Features  
International Standard Packages  
Low QG  
Avalanche Rated  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
Low Package Inductance  
20..120 /4.5..27  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
650  
V
V
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
3.5  
5.0  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
100 nA  
IDSS  
50 A  
5 mA  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
24 m  
© 2020 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100685D(1/20)  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXFX120N65X2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFX12N90Q IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFX12N90Q LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFX140N25T IXYS

获取价格

 		GigaMOS Power MOSFET
IXFX140N25T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX140N30P IXYS

获取价格

 		Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX140N30P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFX14N100 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFX150N15 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFX150N15 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFX150N30P3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,

与IXFX120N65X2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证